宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年较新批次,交期快,原厂原装现货,可提供技术支持SST26VF016B-104I/SM是一款串行16M(2M*8位)存储器,使用SST专有的高性能CMOS**闪存技术制造,单电压操作和读写2.7-3.6V,快速读取访问时间:104MHz,低功耗 : 7mA(典型),待机:8uA(典型) ,存储器SOIC8引脚,芯片可以擦写10,000次,数据可保留*,产品可以耐高温85度,耐低温零下40度,更多产品资料请与在线客服联系。 SST26VF016B-104I/SM高清图,细节图,原厂原装现货供应 SST26VF016B-104I/SM基本参数技术设计参考 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 SOIC-8 工厂包装数量 90 单位重量 540 mg 制造商 Microchip Technology 系列 SST26 SQI? 包装方式 管件 寿命周期 在售 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH 存储容量 16Mb (2M x 8) 时钟频率 104MHz 写周期时间 - 字,页 1.5ms 存储器接口 SPI - 四 I/O 工作电源电压 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度范围 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) SST26VF016B-104I/SM标准包装4500/包,现货实物销售 SST26VF016B-104I/SM串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲,它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点. SST26VF016B-104I/SM产品特点: * 操作电压:2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作 * 4线串行接口结构 * 具有wrap-around特点的连续字节读操作 * 低功耗 : 7mA(典型),待机:8uA(典型) * 灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力 * 快速擦除时间:Sector-Erase或者Block-Erase::18ms(典型) * 字节编程:14us(典型) * 较大操作时钟频率可达50MHz * 对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程 * 通过WP#引脚可实现硬件写保护 SST26VF016B-104I/SM更多型号选型列表 型号(Device) 容量(Density) 电压(Voltage) 时钟速度(MHz) 封装(Packages) SST25VF512A 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8,WSON-8 SST25VF010A 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8,WSON-8 SST25VF020B 2Mb(256Kx8) 2.7-3.6V 80 SOIC-8,WSON-8 SST25VF040B 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8,WSON-8 SST25VF080B 8Mb(1Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8,WSON-8 SST26VF016B 16Mb(2Mx8) 2.7-3.6V 104 SOIC-8,WSON-8 SST26VF032B 32Mb(4Mx8) 2.7-3.6V 104 SOIC-8,WSON-8 SST26VF064B 64Mb(8Mx8) 2.7-3.6V 104 SOIC-8,WSON-8